光刻机高压电源抗单粒子效应加固
光刻机作为半导体制造的核心设备，其高压电源需为静电吸盘（ESC）、光源驱动模块提供 ±0.01% 精度的稳定供电，而单粒子效应（SEE）—— 由宇宙射线、高能粒子引发的瞬时电路扰动，会导致电源输出波动达 5% 以上，直接造成光刻线宽偏差超 3nm，芯片良率骤降。
抗单粒子效应加固需从三方面构建技术体系：其一，电路冗余设计采用双模块热备份架构，通过高速比较器实时监测输出电压，当检测到单粒子翻转（SEU）时，0.8ms 内完成备用模块切换，确保供电中断时间 < 100μs；其二，器件选型优先采用抗辐射碳化硅（SiC）功率器件，其禁带宽度达 3.2eV，抗单粒子闩锁（SEL）阈值提升至 120MeV・cm²/mg，较传统硅器件抗辐射能力提升 3 倍；其三，算法层面引入粒子通量自适应补偿，通过微型半导体探测器实时采集粒子剂量（精度 ±5%），结合 PID 神经网络算法动态调整输出电压，将单粒子诱发的电压偏差控制在 ±0.005% 以内。
该加固技术已在 7nm 逻辑芯片光刻工艺中验证，经 1000 小时粒子环境模拟测试，电源输出稳定性维持率达 99.8%，芯片光刻良率从 92% 提升至 97.2%，有效解决了高精度光刻场景下的单粒子干扰难题。
