光刻机高压电源多维度 EMI 屏蔽
光刻机作为半导体制造的核心设备，其纳米级光刻精度直接决定芯片良率，而高压电源作为光刻机的动力核心，电磁干扰（EMI）是制约其性能的关键瓶颈。光刻机工作环境中，高压电源内开关管高频开关（10kHz-1MHz）会产生传导与辐射干扰，高压放电形成的电磁脉冲还会耦合至光学系统与精密传动部件，导致套刻精度偏差超 2nm，严重影响芯片制造质量。
针对该问题，需构建多维度 EMI 屏蔽体系。在结构层面，采用高导电率铜合金（导电率≥98% IACS）制作屏蔽外壳，接缝处嵌入铍铜导电衬垫，缝隙控制在 0.1mm 以内，同时内部粘贴铁氧体吸波材料（初始磁导率≥2000），吸收 100MHz-1GHz 频段辐射；电路设计上，将高压功率回路与控制回路进行 PCB 分区布局，控制回路覆盖接地屏蔽层，采用 “低频单点接地 + 高频多点接地” 混合方式，输入输出端配置 EMI 滤波器（共模电感 10mH-100mH、差模电容 0.1μF-1μF）；系统级屏蔽则通过电磁隔离屏障，实现高压电源与光刻机光学模块的空间隔离，隔离距离≥30cm。
经 IEC 61000-6-4 标准测试，屏蔽后电源辐射骚扰在 30MHz-1GHz 频段≤40dBμV/m，传导骚扰在 150kHz-30MHz 频段≤60dBμV，满足光刻机 EMC 要求。实际应用中，光刻套刻精度稳定在 2nm 以内，芯片良率提升 3%，验证了多维度 EMI 屏蔽方案的有效性。
