技术资源_泰思曼高压电源

准分子激光高压电源光学 - 电学同步系统

准分子激光凭借 193nm 248nm 短波长、1-10ns 脉冲宽度的特性，广泛应用于光刻胶刻蚀、材料表面改性，其高压电源需为激光腔提供 20-50kV

光刻机作为半导体制造的核心设备，其高压电源需为静电吸盘（ESC）、光源驱动模块提供 ±0 01% 精度的稳定供电，而单粒子效应（SEE

一、工艺需求与控制难点离子注入是半导体掺杂的核心工艺，通过将特定离子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圆，形成精确的

一、应用场景与问题成因静电卡盘（ESC）是半导体制造（如刻蚀、薄膜沉积）中晶圆夹持的核心部件，通过高压电源提供静电力实现晶圆无接触固

一、应用背景与技术需求电子显微镜（如透射电镜 TEM、扫描电镜 SEM）是材料微观结构表征的核心设备，其分辨率与加速电压稳定性直接相关；

蚀刻工艺是半导体制造中图形转移的关键环节，需通过高压电源驱动等离子体（如 CF4、O2 等离子体）对晶圆表面材料进行选择性刻蚀，而

准分子激光（如 KrF、ArF 激光）因短波长（193-248nm）、高能量密度特性，广泛应用于半导体光刻、精密材料加工及医疗激光领域，而高压电

在先进半导体制造中，光刻机作为芯片印钞机，其曝光精度直接决定芯片制程极限，而高压电源作为光刻光源（如极紫外光 EUV）的能量核心，

离子注入技术是半导体制造中实现精准掺杂的核心工艺，离子注入高压电源输出的脉冲波形参数（如幅值、脉宽、上升沿下降沿时间）直接影