摘要：本文系统探讨了物理气相沉积（PVD）工艺中高压电源参数对薄膜均匀性的影响机制，基于电磁场动力学与等离子体输运理论，提出多参数协
一、超高电压工况下的过压风险谱系450kV级高压电源在工业加速器、直流输电等场景中面临四类过压威胁：1 瞬态反射过压： 长距离电缆（&ge
一、动态负载响应的工程定义与核心指标在脉冲功率与电网模拟领域，225kV级高压电源的动态负载响应能力指其在微秒至秒级时间尺度内应对负载
一、脉冲平顶特性的工程定义与挑战160kV级高压电源的脉冲平顶特性指输出电压在脉冲持续期内（典型值10μs-10ms）的稳定度，其技术指标包
一、静电击穿机理与失效模式在半导体晶圆加工中，E-Chuck系统需持续施加0 5-10kV偏置电压以产生静电吸附力，其高压电源面临三个层级的击穿
一、系统工作原理与技术特征通道电子倍增器（CEM）作为高能粒子探测的核心器件，其性能直接依赖于高压电源的脉冲输出特性。该系统通过施加1
一、增益稳定性对探测器性能的关键影响微通道板（MCP）探测器的增益（G）与高压电源（HVPS）的电压稳定性呈指数关系：G ∝ V^N（N=8-
一、离子束发散度的物理定义与工业标准离子束发散度（Beam Divergence）表征束流在传输过程中横向速度分量的分布范围，其核心指标为归一化
一、低纹波电源的EMC核心挑战高压电源的电磁兼容（EMC）问题源于功率器件高频开关产生的宽频干扰，其特性与纹波系数（Ripple Factor）强相
