技术资源_泰思曼高压电源

离子注入高压电源脉冲序列混沌控制的应用实践

离子注入是半导体器件制造中实现杂质精准掺杂的核心工艺，其通过高压电源加速杂质离子（如硼、磷），使离子注入晶圆形成源漏极、栅极等关键

在半导体晶圆制造的光刻、干法刻蚀等关键工艺中，静电卡盘（ESC）承担着晶圆精准夹持与温度控制的核心功能，而高压电源的输出稳定性直接影

在纳米科技与材料科学领域，透射电子显微镜（TEM）、扫描电子显微镜（SEM）的分辨率与分析精度，直接依赖电子束加速系统的稳定性，而高压电

准分子激光凭借 193nm 248nm 短波长、1-10ns 脉冲宽度的特性，广泛应用于光刻胶刻蚀、材料表面改性，其高压电源需为激光腔提供 20-50kV

光刻机作为半导体制造的核心设备，其高压电源需为静电吸盘（ESC）、光源驱动模块提供 ±0 01% 精度的稳定供电，而单粒子效应（SEE

一、工艺需求与控制难点离子注入是半导体掺杂的核心工艺，通过将特定离子（如 B、P、As）加速至 1keV-1MeV 能量并注入晶圆，形成精确的

一、应用场景与问题成因静电卡盘（ESC）是半导体制造（如刻蚀、薄膜沉积）中晶圆夹持的核心部件，通过高压电源提供静电力实现晶圆无接触固

一、应用背景与技术需求电子显微镜（如透射电镜 TEM、扫描电镜 SEM）是材料微观结构表征的核心设备，其分辨率与加速电压稳定性直接相关；

蚀刻工艺是半导体制造中图形转移的关键环节，需通过高压电源驱动等离子体（如 CF4、O2 等离子体）对晶圆表面材料进行选择性刻蚀，而