技术资源_泰思曼高压电源

真空镀膜弧放电抑制型高压电源

真空镀膜过程中靶材熔滴飞溅与弧光放电是影响薄膜质量与镀膜速度的首要难题，传统高压电源的弧放电抑制能力直接决定镀膜良率与设备稼动率。

电子束直写光刻作为7nm以下掩膜与直写芯片的核心技术，对加速电压的绝对稳定性要求极端苛刻，450kV高压电源的纹波与漂移直接决定线宽均匀性

在干法静电分选磷矿、钾盐、方解石、重晶石等非金属矿以及钨锡钼等多金属伴生矿时，高压电源的稳定性和多路协同能力直接决定了分选指标。多

离子注入机是先进制程掺杂的核心设备，双柱形分析磁铁结构对160kV加速高压电源的纹波、漂移、瞬态响应与抗束流负载效应提出了严苛要求。最

六轴喷涂机器人要在狭小舱室、复杂曲面实现100%漆膜覆盖，传统外置高压包因电缆电晕损耗、摆动惯性与电磁干扰已成瓶颈。最新100kV内置高压

中子照相作为核燃料棒、航空钛合金铸件与爆炸物无损探伤的金标准，其加速器靶室附近中子+γ混合辐照剂量率可达10⁵ Gy h以上，普通高

微流控芯片实验室（Lab-on-a-chip）要实现毛细管电泳的高分辨分离，需在10cm长通道内建立300V mm以上电场，即30kV高压，但传统台式高压包体

电子束熔融（EBM）3D打印钛合金、γ-TiAl等高活性金属时，束流需在0-60mA内毫秒级精准调节以控制熔池温度与蒸气反冲。最新450kV栅控高

先进制程中静电卡盘（E-Chuck）吸附电压已普遍升至±3800V以上，卸片时若残余电荷不能在10ms内彻底清除，会导致晶圆跳片、侧向放电甚