技术资源
镀膜脉冲电源负偏压清洁功能
在物理气相沉积、特别是磁控溅射镀膜工艺中,为基片施加一个直流或脉冲负偏压,是改善薄膜致密度、附着力、应力及晶体取向的关键技术。然而
PPM级电源温漂自补偿技术
在精密计量、高分辨率质谱、量子计算以及前沿物理实验等领域,为关键负载供电的高压或高精度直流电源,其输出值的长期稳定性被要求控制在百
中子源高压电源束流引出控制
在基于加速器(如串列式静电加速器、回旋加速器)的中子产生装置中,高能离子束(通常是质子或氘核)轰击靶材(如铍、锂)产生中子。离子束
离子注入超低能量高压减速电源
在半导体先进制程中,浅结形成、沟道工程、阱调整以及绝缘体上硅技术等,都需要将离子以极低的能量(通常指低于1 keV,甚至到100 eV以下
镀膜脉冲电源薄膜界面调控技术
在物理气相沉积领域,尤其是磁控溅射和多弧离子镀中,薄膜与基体之间的界面性质,以及多层膜中不同材料层之间的界面,是决定涂层附着力、内
准分子激光光束匀化高压驱动
在工业微加工、平板显示制造、半导体光刻(尤其是退火与剥离工艺)、医疗器械表面处理及精密打标等领域,准分子激光以其短波长(深紫外至紫
离子注入晶圆热预算控制高压电源
在先进半导体制造中,离子注入是精确控制掺杂、调整器件电学特性的关键工艺步骤。随着技术节点进入纳米尺度,尤其是对于三维FinFET、GAA晶
电子束直写抗蚀剂灵敏度优化电源
电子束直写技术作为分辨率最高的光刻手段之一,在纳米器件研发、掩模版制作及特殊微纳结构加工中具有不可替代的地位。其过程是将聚焦至纳米
静电卡盘边缘效应补偿高压电源
在半导体先进制程的干法刻蚀与化学气相沉积设备中,静电卡盘是晶圆温度控制与固定技术的核心。其通过施加高压直流或交流电场,利用约翰逊-