技术资源_泰思曼高压电源

中子源320kV高压电源屏蔽设计

用于紧凑型中子发生器的直流高压电源，肩负着为离子源加速氘核粒子至数百keV能量的重任。一个典型的320kV高压电源，其输出功率可达数千瓦至

在先进的磁控溅射镀膜工艺中，尤其是用于制备高密度、低应力、优异附着力的功能性薄膜时，非平衡磁控溅射与脉冲技术相结合已成为行业标准。

在高端质谱分析领域，特别是傅里叶变换离子回旋共振质谱仪、轨道阱质谱仪等高分辨率仪器中，离子光学系统的稳定性和重复性直接决定了仪器的

在大型真空镀膜设备，特别是用于光学镀膜、半导体功能性薄膜沉积的系统中，225kV量级的高压电源扮演着至关重要的角色，但其应用方式并非直

通道电子倍增器作为单粒子或极微弱电流信号探测的核心传感器，其极限探测能力从根本上受限于为其提供工作偏压的高压电源的噪声水平。CEM本

中子发生器作为一种紧凑型中子源，在石油测井、爆炸物检测、材料分析及科研领域广泛应用。其工作原理通常是通过直流高压电源将氘离子加速至

准分子KrF激光器（工作波长为248纳米）作为深紫外波段的重要相干光源，在半导体光刻、精密微加工、材料表面处理及科学研究中具有不可替代的

在微电子器件制备、光子晶体加工、表面功能化改性等前沿领域，离子束刻蚀技术因其卓越的方向性、广泛的材料兼容性和出色的刻蚀轮廓控制能力

在航空航天、重型压力容器、大型铸锻件等关键工业领域的无损检测中，高能X射线探伤是检测内部缺陷的核心手段。为产生具有足够穿透能力的X射